Dijon 1995

  • J. M. Moison (CNET, Bagneux) : La nanostructuration spontanée de matériaux III-V sous contraintes, une technologie au service des composants quantiques.
  • A. Perez (Département de physique des matériaux, Lyon) : Synthèse de matériaux nanostructurés à propriétés spécifiques par dépôts d’agrégats.
  • C. Henry (CRMC2, Marseille) : Réactivité d’agrégats nanométriques de palladium supportés sur MgO(100).
  • J. Miltat (Physique des solides, Orsay) : Quelques exemples de relations structure-distribution d’aimantation dans les couches ultra-minceset les multicouches.
  • J. C. Bertolini (IRC, Lyon) : Surfaces d’alliages bi-métalliques : relation entre la composition, la structure et la réactivité.
  • V. Pontikis (LSI, Palaiseau) : Simulation numérique des propriétés des interfcaes internes : résultats marquants et perspectives.
  • A. Taleb-Ibrahimi (LURE, Orsay) : Etude par spectroscopie de photoémission haute résolution de surface de silicium (111).
  • F. Gaspard (Spectrométrie Physique, Grenoble) : Silicium poreux, luminescence et confinement quantique.
  • L. Kubler (LPSE, Mulhouse) : Apport des techniques de photoémission à la connaissance des modes de croissance MBE d’hétérostructures IV-V.
  • H. Haidara (Physico-chimie des surfaces solides, Mulhouse) : Elaboration et application des couches monomoléculaires autoassemblées à l’étude de quelques phénomènes d’interface.
  • A. Steinbrunn (LRRS, Dijon) : Caractérisation et réactivité de surfaces d’oxyde de métaux de transition : quelques exemples.
  • A. Bourret (CENG, Grenoble) : Etude des interfaces enterrées par diffraction X en incidence rasante.